Synthesis and properties of boron doped ZnO nanorods on silicon substrate by low-temperature hydrothermal reaction
Synthesis and properties of boron doped ZnO nanorods on silicon substrate by low-temperature hydrothermal reaction
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硅基硼掺杂ZnO纳米棒的低温水热反应合成及性能
DOI：
10.1016/j.apsusc.2011.01.081
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发表时间：
2011-05
影响因子：
6.7
通讯作者：
Jujun Yuan
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Qi Yu;Hongdong Li;D;an Sang;Shiyong Gao;Liuan Li;Pinwen Zhu;Jujun Yuan
采用水热法在硅衬底上制备了硼掺杂ZnO纳米棒。结果表明，反应液中硼酸的浓度对产物的形貌和性能有重要影响。随着硼酸浓度的增加，掺杂ZnO纳米棒沿[0001]取向（平均直径）的生长速率（沿着）减小（增大）。XRD、EDX和XPS分析结果表明，硼掺杂剂倾向于占据八面体晶格位置。研究了硼掺杂对ZnO纳米棒光致发光的影响。
Boron doped ZnO nanorods were fabricated by hydrothermal technique on silicon substrate covered with a ZnO seed layer. It is found that the concentration of boric acid in the reaction solution plays a key role in varying the morphology and properties of the products. The growth rate along the [0001] orientation (average size in diameter) of the doped ZnO nanorods decreased (increased) with the increase of boric acid concentration. Based on the results of XRD, EDX and XPS, it is demonstrated that the boron dopants tend to occupy the octahedral interstice sites. The photoluminescence of the ZnO nanorods related to boron doping are investigated.
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