"Blueshift" in photoluminescence and photovoltaic spectroscopy of the ion-milling formed n-on-p HgCdTe photodiodes
"Blueshift" in photoluminescence and photovoltaic spectroscopy of the ion-milling formed n-on-p HgCdTe photodiodes
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离子铣削形成的 n-on-p HgCdTe 光电二极管的光致发光和光伏光谱中的“蓝移”
DOI：
10.1063/1.2740107
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发表时间：
2007-05
影响因子：
4
通讯作者：
Shao, Jun
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Jiang, J.;Zha, F. X.;Yang, W. Y.;Shao, Jun
用离子铣技术制备的n-on-p型Hg 1 −xCdxTe光电二极管的光致发光特性表明，n型转换区的发光峰明显向高能方向移动，比p型转换区的发光峰移动了约40 meV。
Photoluminescence characterization of n-on-p Hg1−xCdxTe photodiodes formed by ion-milling technique shows that the luminescence peak of the n-type conversion region shifts remarkably toward higher energy with an amount of ∼40meV more than that of the p re
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影响因子：
4
作者：
F. Yue;J. Shao;Xiang Lü;Wei Huang;J. Chu;Jun Wu;Xingchao Lin;Li He
通讯作者：
F. Yue;J. Shao;Xiang Lü;Wei Huang;J. Chu;Jun Wu;Xingchao Lin;Li He
DOI：
10.1088/0370-1301/67/10/306
发表时间：
1954-01-01
期刊：
PROCEEDINGS OF THE PHYSICAL SOCIETY OF LONDON SECTION B
影响因子：
--
作者：
MOSS, TS
通讯作者：
MOSS, TS
DOI：
10.1117/12.188683
发表时间：
1994-10
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
I. Baker;G. Crimes;J. E. Parsons;E. O'Keefe
通讯作者：
I. Baker;G. Crimes;J. E. Parsons;E. O'Keefe
DOI：
10.1117/3.pm77.ch2
发表时间：
2000-12
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
A. Rogalski;K. Adamiec;J. Rutkowski
通讯作者：
A. Rogalski;K. Adamiec;J. Rutkowski
影响因子：
1.1
作者：
M. Blackman;D. Charlton;M. D. Jenner;D. Purdy;J. Wotherspoon;C. T. Elliott;A. White
通讯作者：
M. Blackman;D. Charlton;M. D. Jenner;D. Purdy;J. Wotherspoon;C. T. Elliott;A. White