Control of Electron and Hole Concentrations of Semiconducting Silicide BaSi_2 with Impurities Grown by Molecular Beam Epitaxy
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分子束外延生长杂质半导体硅化物BaSi_2电子和空穴浓度的控制
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
and T. Suemasu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Kobayashi;Y. Matsumoto;Y. Ichikawa;D. Tsukada;and T. Suemasu
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