Electron paramagnetic resonance study of type-II silicon clathrate with low sodium guest concentration
Electron paramagnetic resonance study of type-II silicon clathrate with low sodium guest concentration
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低钠客体浓度II型硅包合物的电子顺磁共振研究
DOI：
10.1103/physrevb.101.245204
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发表时间：
2020
影响因子：
3.7
通讯作者：
Collins, Reuben T.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Schenken, William K.;Liu, Yinan;Krishna, Lakshmi;Majid, Ahmad A.;Koh, Carolyn A.;Taylor, P. Craig;Collins, Reuben T.
用电子顺磁共振(EPR)研究了第二类硅(Si)包合物在低钠(Na)客体浓度下的性质，揭示了这种笼状硅同素异形体的性质以及Na作为AN型掺杂剂的性质。在该系统中发现了由无序硅相中未终止的硅键引起的EPR谱线。这种非晶态成分的存在有助于解释热激活的、与跳跃相关的导电性，这种导电性在该系统中一直被观察到，但人们对此知之甚少。这项研究还确认了由于施主电子与笼子上的无核相互作用而围绕着每个Na超精细线的“超精细”线，并证实了由于相邻两个Na核的相互作用而产生的超精细线的识别。对这些相互作用强度的分析表明，与Na施主有关的电子波函数延伸到周围的笼子上，这与确定Na是浅施主是一致的，并提供了Na聚集的定量证据。
An electron paramagnetic resonance (EPR) study of type-II silicon (Si) clathrate with low sodium (Na) guest concentration provides insights into the properties of this cagelike Si allotrope and into Na as an-type dopant. An EPR line arising from unterminated Si bonds in a disordered Si phase is identified in the system. The presence of this amorphouslike component helps explain the thermally activated, hopping-related conductivity that has long been observed in the system but which has been poorly understood. This study also identifies “superhyperfine” lines surrounding each Na hyperfine line due to interactions of the donor electron with anucleus on the cage and confirms the identification of hyperfine lines due to interactions of two neighboring Na nuclei. Analysis of the strength of these interactions shows that the electron wave function associated with the Na donor extends onto surrounding cages consistent with identification of Na as a shallow donor, and provides quantitative evidence of Na clustering.
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DOI：
--
发表时间：
1970
期刊：
影响因子：
--
作者：
P. Cullis;J. Marko
通讯作者：
J. Marko
影响因子：
3.5
作者：
Ammar, A;Cros, C;Reny, E
通讯作者：
Reny, E
影响因子：
3.7
作者：
ADAMS, GB;OKEEFFE, M;HUANG, YM
通讯作者：
HUANG, YM
金硅包合物NAXSI136(X=0、4、8、16和24)的电子结构
DOI：
--
发表时间：
1997
期刊：
影响因子：
--
作者：
V. I. Smelyansky;J. Tse
通讯作者：
J. Tse
金属间包合物选择性晶体生长的简单方法
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
S. Stefanoski;M. Beekman;W. Wong;P. Zavalij;G. Nolas
通讯作者：
G. Nolas