Electrical properties and structural defects of p-type GaN layers grown by halide vapor phase epitaxy
Electrical properties and structural defects of p-type GaN layers grown by halide vapor phase epitaxy
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卤化物气相外延生长p型GaN层的电学性能和结构缺陷
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2021.126173
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发表时间：
2021
影响因子：
1.8
通讯作者：
and Hiroshi Amano
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Kazuki Ohnishi;Yuki Amano;Naoki Fujimoto;Shugo Nitta;Hirotaka Watanabe;Yoshio Honda;and Hiroshi Amano
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通讯作者：
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