Halide vapor phase epitaxy of p-type Mg-doped GaN utilizing MgO
Halide vapor phase epitaxy of p-type Mg-doped GaN utilizing MgO
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利用 MgO 卤化物气相外延 p 型掺镁 GaN
DOI：
10.35848/1882-0786/ab9166
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发表时间：
2020
影响因子：
2.3
通讯作者：
Amano Hiroshi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ohnishi Kazuki;Amano Yuki;Fujimoto Naoki;Nitta Shugo;Honda Yoshio;Amano Hiroshi
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影响因子：
1.5
作者：
H. Fujikura;Taichiro Konno;Takehiro Yoshida;F. Horikiri
通讯作者：
H. Fujikura;Taichiro Konno;Takehiro Yoshida;F. Horikiri
GaN氢化物气相外延的热力学分析
DOI：
--
发表时间：
1998
期刊：
影响因子：
--
作者：
A. Koukitu;S. Hama;Tetsuya Taki;H. Seki
通讯作者：
H. Seki
影响因子：
2.3
作者：
Sawada, Naoki;Narita, Tetsuo;Suda, Jun
通讯作者：
Suda, Jun
无机材料高温汽化;无机材料高温汽化
DOI：
10.2465/gkk1952.16.special_137
发表时间：
1983
期刊：
Journal of the Mineralogical Society of Japan
影响因子：
--
作者：
T. Sata
通讯作者：
T. Sata
通过同质外延 p-GaN 层中的 Mg 掺杂控制反转沟道 MOS 特性
影响因子：
2.3
作者：
S. Takashima;K. Ueno;H. Matsuyama;Takuro Inamoto;M. Edo;Tokio Takahashi;M. Shimizu;K. Nakagawa
通讯作者：
K. Nakagawa