Solid polyelectrolyte-gated surface conductive diamond field effect transistors
Solid polyelectrolyte-gated surface conductive diamond field effect transistors
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固体聚电解质门控表面导电金刚石场效应晶体管
DOI：
10.1063/1.3676662
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发表时间：
2012
影响因子：
4
通讯作者：
J. Garrido
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Dankerl;M. Tosun;M. Stutzmann;J. Garrido
固体聚电解质已用于晶体管器件中以实现具有高电容的选通。我们使用固体聚环氧乙烷/LiClO 4电解质，以取代水电解质作为表面导电金刚石场效应晶体管（FET）的栅极。所得到的晶体管显示出与水电解质门控金刚石FET的特性相当的特性。我们研究了金刚石/金刚石界面的阻抗谱和循环伏安法，显示界面和电容门控高达100 Hz的电化学稳定性。霍尔效应测量的聚电解质门控设备进行比较，那些与液体门。固体和透明的金刚石栅极为表面导电金刚石FET提供了进一步的应用。
Solid polyelectrolytes have been used in transistor devices to achieve gating with high capacitance. We use a solid polyethylene oxide/LiClO4 electrolyte to replace aqueous electrolytes as a gate for surface-conductive diamond field-effect transistors (FET). The resulting transistor shows characteristics comparable to those of aqueous electrolyte-gated diamond FETs. We investigate the polyelectrolyte/diamond interface with impedance spectroscopy and cyclic voltammetry, showing the electrochemical stability of the interface and capacitive gating up to 100 Hz. Hall effect measurements on the polyelectrolyte-gated devices are compared to those with liquid gates. The solid and transparent polyelectrolyte gates promise further applications for surface-conductive diamond FETs.
影响因子：
4
作者：
K. Hirama;S. Miyamoto;H. Matsudaira;K. Yamada;H. Kawarada;T. Chikyo;H. Koinuma;K. Hasegawa;H. Umezawa
通讯作者：
K. Hirama;S. Miyamoto;H. Matsudaira;K. Yamada;H. Kawarada;T. Chikyo;H. Koinuma;K. Hasegawa;H. Umezawa
影响因子：
19
作者：
Yuan, Hongtao;Shimotani, Hidekazu;Iwasa, Yoshihiro
通讯作者：
Iwasa, Yoshihiro
影响因子：
2.3
作者：
Hirama, Kazuyuki;Tsuge, Kyosuke;Kawarada, Hiroshi
通讯作者：
Kawarada, Hiroshi