Structure transition between two GaAs(001)-c(4 × 4) surface reconstructions in As4 flux
Structure transition between two GaAs(001)-c(4 × 4) surface reconstructions in As4 flux
复制标题
As4 通量中两个 GaAs(001)-c(4 × 4) 表面重建之间的结构转变
DOI：
--
复制
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
J.Okabayashi et al.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T.Arai;J.Okabayashi et al.
登录
查看更多内容
GaAs(001) 表面的氮化：(3×3) 重建的热行为及其演化
影响因子：
1.4
作者：
J. Lu;L. Haworth;P. Hill;D. Westwood;J. E. MacDonald
通讯作者：
J. E. MacDonald
影响因子：
1.4
作者：
Farrell, HH;Lu, J;Palmstrom, CJ
通讯作者：
Palmstrom, CJ
对“通过多切片方法进行 RHEED 强度的多光束计算”的修正
影响因子：
1.5
作者：
A. Ichimiya
通讯作者：
A. Ichimiya
扫描隧道显微镜测定GaAsN合金中氮原子的排列
影响因子：
4
作者：
H. McKay;R. Feenstra;T. Schmidtling;U. W. Pohl
通讯作者：
U. W. Pohl
勘误：As 通量下 GaAs(001)−(2×4) 表面的原子结构 [Phys. Rev. B65,165315 (2002)]
影响因子：
3.7
作者：
A. Ohtake;M. Ozeki;T. Yasuda;T. Hanada
通讯作者：
T. Hanada