Ice lithography for nanodevices.
Ice lithography for nanodevices.
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DOI：
10.1021/nl1032815
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发表时间：
2010-12-08
期刊：
影响因子：
10.8
通讯作者：
Branton D
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Han A;Vlassarev D;Wang J;Golovchenko JA;Branton D
我们报告成功应用一种新的方法，冰光刻（IL），制造纳米器件。整个离子注入过程发生在一个改进的扫描电子显微镜（SEM），其中水冰的气相沉积膜作为电子束光刻的抗蚀剂，大大简化和精简设备制造。我们表明，不稳定的纳米结构，如碳纳米管，可以安全地在扫描电子显微镜成像时，在冰涂层。冰膜在高电子束强度下被图案化，并且用作剥离的掩模，而没有与电子束成像和聚合物抗蚀剂残留物相关联的器件退化和污染。我们展示了具有高质量跨导特性的碳纳米管场效应晶体管（FET）的IL制备。
We report the successful application of a new approach, ice lithography (IL), to fabricate nanoscale devices. The entire IL process takes place inside a modified scanning electron microscope (SEM), where a vapor-deposited film of water ice serves as a resist for e-beam lithography, greatly simplifying and streamlining device fabrication. We show that labile nanostructures such as carbon nanotubes can be safely imaged in an SEM when coated in ice. The ice film is patterned at high e-beam intensity and serves as a mask for lift-off without the device degradation and contamination associated with e-beam imaging and polymer resist residues. We demonstrate the IL preparation of carbon nanotubes field effect transistors (FETs) with high quality trans-conductance properties.
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