Spontaneous dissociation of Co(2)(CO)(8) and autocatalytic growth of Co on SiO(2): A combined experimental and theoretical investigation.
Spontaneous dissociation of Co(2)(CO)(8) and autocatalytic growth of Co on SiO(2): A combined experimental and theoretical investigation.
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DOI：
10.3762/bjnano.3.63
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发表时间：
2012
影响因子：
3.1
通讯作者：
Huth M
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Muthukumar K;Jeschke HO;Valentí R;Begun E;Schwenk J;Porrati F;Huth M
我们目前的实验结果和理论模拟的吸附行为的金属有机前体Co2（CO）8 SiO2表面上的应用程序后，两个不同的预处理步骤，即通过空气等离子体清洗或聚焦电子束预照射。我们观察到的前体分子的自发解离，以及钴的自沉积在预处理的二氧化硅表面上。我们还发现，这些沉积物的金属含量和相对稳定性的差异取决于基板的预处理条件。这些存款的运输测量也提出。我们被引导到假设的SiO2表面的羟基基团的钝化程度是一个重要的控制因素，在解离过程中。我们的计算各种板设置，使用色散校正的密度泛函理论，支持这一假设。我们观察到的前体分子的物理吸附在一个完全羟基化的二氧化硅表面（未经处理的表面）和化学吸附在一个部分羟基化的二氧化硅表面（预处理的表面）的前体分子的自发解离。鉴于这些计算，我们讨论了这种解离和随后的自催化的起源。
We present experimental results and theoretical simulations of the adsorption behavior of the metal–organic precursor Co2(CO)8 on SiO2 surfaces after application of two different pretreatment steps, namely by air plasma cleaning or a focused electron beam pre-irradiation. We observe a spontaneous dissociation of the precursor molecules as well as autodeposition of cobalt on the pretreated SiO2 surfaces. We also find that the differences in metal content and relative stability of these deposits depend on the pretreatment conditions of the substrate. Transport measurements of these deposits are also presented. We are led to assume that the degree of passivation of the SiO2 surface by hydroxyl groups is an important controlling factor in the dissociation process. Our calculations of various slab settings, using dispersion-corrected density functional theory, support this assumption. We observe physisorption of the precursor molecule on a fully hydroxylated SiO2 surface (untreated surface) and chemisorption on a partially hydroxylated SiO2 surface (pretreated surface) with a spontaneous dissociation of the precursor molecule. In view of these calculations, we discuss the origin of this dissociation and the subsequent autocatalysis.
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影响因子：
3
作者：
Grimme, Stefan
通讯作者：
Grimme, Stefan
影响因子：
3.4
作者：
Fernandez-Pacheco, A.;De Teresa, J. M.;Ibarra, M. R.
通讯作者：
Ibarra, M. R.
DOI：
10.1116/1.1481040
发表时间：
2002-07-01
期刊：
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS
影响因子：
--
作者：
Lau, YM;Chee, PC;Ng, V
通讯作者：
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作者：
Friedli, V.;Utke, I.
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Bernau, Laurent;Gabureac, Mihai;Utke, Ivo
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Utke, Ivo