Implications of gate-edge electric field in AlGaN/GaN high electron mobility transistors during OFF-state degradation
Implications of gate-edge electric field in AlGaN/GaN high electron mobility transistors during OFF-state degradation
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AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管关态退化期间栅极边缘电场的影响
DOI：
10.1016/j.microrel.2014.09.020
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发表时间：
2014
影响因子：
1.6
通讯作者：
Sun H
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Sun H
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DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
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N. Shigekawa;K. Shiojima;T. Suemitsu
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M. Kuball