J.Kanasaki: "Defect-Initiated Atomic Emissions from Semiconductor Surfaces Induced by Laser Irradiation: Electronic Cleaning of Defects on Surfaces" Applied Surface Science. (1994)
J.Kanasaki: "Defect-Initiated Atomic Emissions from Semiconductor Surfaces Induced by Laser Irradiation: Electronic Cleaning of Defects on Surfaces" Applied Surface Science. (1994)
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J.Kanasaki：“激光照射引起的半导体表面缺陷引发的原子发射：表面缺陷的电子清洁”应用表面科学。
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GaP (110) 表面上的激光诱导电子过程：由缺陷引发的粒子发射和烧蚀。
DOI：
10.1103/physrevb.45.8424
发表时间：
1992
期刊：
Physical review. B, Condensed matter
影响因子：
--
作者：
Hattori;Okano;Nakai;Itoh
通讯作者：
Itoh
Si(100) 表面硅原子的激光诱导电子发射
影响因子：
1.5
作者：
J. Kanasaki;I. Yu;Yasuo Nakai Yasuo Nakai;Noriaki Itoh Noriaki Itoh
通讯作者：
Noriaki Itoh Noriaki Itoh
表面科学快报CNDO 计算 GaP(110) 表面缺陷位点的 Ga 原子弹射能量
影响因子：
1.9
作者：
C. Ong;G. Khoo;K. Hattori;Y. Nakai;N. Itoh
通讯作者：
N. Itoh
通过 GaP 表面的激光诱导 Ga0 发射表征表面缺陷
DOI：
10.1088/0953-8984/3/36/005
发表时间：
1991
期刊：
Journal of Physics: Condensed Matter
影响因子：
--
作者：
K. Hattori;A. Okano;Y. Nakai;N. Itoh;R. Haglund
通讯作者：
R. Haglund
脉冲激光照射诱导 Ga 原子从 GaAs (110) 表面缺陷引发的发射
DOI：
10.1088/0953-8984/5/36/004
发表时间：
1993
期刊：
Journal of Physics: Condensed Matter
影响因子：
--
作者：
J. Kanasaki;A. Okano;K. Ishikawa;Y. Nakai;N. Itoh
通讯作者：
N. Itoh