Highly sensitive ultraviolet photodetectors fabricated from ZnO quantum dots/carbon nanodots hybrid films.
Highly sensitive ultraviolet photodetectors fabricated from ZnO quantum dots/carbon nanodots hybrid films.
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由 ZnO 量子点/碳纳米点混合薄膜制成的高灵敏度紫外光电探测器
DOI：
10.1038/srep07469
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发表时间：
2014-12-12
影响因子：
4.6
通讯作者：
Shen DZ
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Guo DY;Shan CX;Qu SN;Shen DZ
利用ZnO量子点/碳纳米点杂化薄膜制备了紫外光电探测器，碳纳米点的引入大大提高了光电探测器的性能。光电探测器可用于检测非常弱的紫外信号（低至12 nW/cm 2）。 该探测器的探测率和噪声等效功率分别达到3.1 × 1017 cmHz 1/2/W和7.8 × 10− 20 W，均为ZnO基光电探测器的最高值。光电探测器的高灵敏度的机制已被归因于在ZnO/C界面处的增强的载流子分离。
Ultraviolet photodetectors have been fabricated from ZnO quantum dots/carbon nanodots hybrid films and the introduction of carbon nanodots improves the performance of the photodetectors greatly. The photodetectors can be used to detect very weak ultraviolet signals (as low as 12 nW/cm2). The detectivity and noise equivalent power of the photodetector can reach 3.1 × 1017cmHz1/2/W and 7.8 × 10−20W, respectively, both of which are the best values ever reported for ZnO-based photodetectors. The mechanism for the high sensitivity of the photodetectors has been attributed to the enhanced carrier-separation at the ZnO/C interface.
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