Quantum point contact potential curvature under correlated disorder potentials
Quantum point contact potential curvature under correlated disorder potentials
复制标题
相关无序势下的量子点接触势曲率
DOI：
10.1103/physrevb.102.045305
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发表时间：
2020
影响因子：
3.7
通讯作者：
Hirayama Y.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Aono T.;Takahashi M.;Fauzi M. H.;Hirayama Y.
我们使用无相互作用的一维紧束缚模型，在高斯相关函数的背景无序势下，从理论上研究了量子点接触（QPC）中限制势的曲率。从电导的栅电压依赖性评估电位的曲率，并计算拟合曲率的统计平均值。当QPC势的特征长度大于无序的特征长度时，拟合曲率对初始QPC约束曲率不敏感。此外，拟合曲率可以随着QPC曲率的减小而增强。在QPC顶部偶然形成双势垒引起拟合曲率的增强。还讨论了无序势下的有限温度效应。类似的结果在二维QPC紧束缚模型中成立。
We theoretically investigate the curvature of the confinement potential in quantum point contacts (QPCs) under a background disorder potential with Gaussian correlation functions using a noninteracting one-dimensional tight-binding model. The curvature of the potential is evaluated from the gate voltage dependence of the conductance, and the statistical average of the fitting curvature is calculated. The fitting curvature is insensitive to the original QPC confinement curvature when the characteristic length of the QPC potential is larger than the characteristic length of the disorder. In addition, the fitting curvature can be enhanced as the QPC curvature is decreased. Accidental double barrier potential formation on the top of the QPC induces enhancement of the fitting curvature. Finite-temperature effects under the disorder potential are also discussed. Similar results hold in a two-dimensional QPC tight-binding model.
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