Observing relaxation in device quality InGaN templates by TEM techniques
Observing relaxation in device quality InGaN templates by TEM techniques
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通过 TEM 技术观察器件质量 InGaN 模板的松弛
DOI：
10.1063/1.5139269
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发表时间：
2020
影响因子：
4
通讯作者：
Bedair, S. M.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Eldred, Tim B.;Abdelhamid, Mostafa;Reynolds, J. G.;El-Masry, N. A.;LeBeau, James M.;Bedair, S. M.
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--
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--
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