Impurity potential induced resonances in doped Si nanowire: A NEGF approach
Impurity potential induced resonances in doped Si nanowire: A NEGF approach
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掺杂硅纳米线中的杂质电势诱导共振：NEGF 方法
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通讯作者：
Antonio Martinez (Author)
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作者：
Antonio Martinez (Author)
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异质结构中的杂质引起的共振态
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发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
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作者：
A. Blom;M. Odnoblyudov;I. Yassievich;K. Chao
通讯作者：
K. Chao
DOI：
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发表时间：
2006-06
期刊：
2009 Symposium on VLSI Technology
影响因子：
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作者：
S. Suk;Ming Li;Y. Yeoh;K. Yeo;J. K. Ha;Hyunseok Lim;Hyunwoo Park;Dong-Won Kim;T. Chung;K. Oh;Wonshik Lee
通讯作者：
S. Suk;Ming Li;Y. Yeoh;K. Yeo;J. K. Ha;Hyunseok Lim;Hyunwoo Park;Dong-Won Kim;T. Chung;K. Oh;Wonshik Lee
通过自上而下 CMOS 工艺制造的双硅纳米线 MOSFET (TSNWFET) 中单电子隧道和弹道传输的观察
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
International Electron Devices Meeting
影响因子：
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作者：
K. Cho;S. Suk;Y. Yeoh;Ming Li;K. Yeo;Dong;S. Hwang;Donggun Park;B. Ryu
通讯作者：
B. Ryu
具有短程和有限程杂质的量子线中法诺效应的温度依赖性
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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作者：
V. Vargiamidis;H. Polatoglou
通讯作者：
H. Polatoglou