Effective electronic band structure of monoclinic β−(AlxGa1−x)2O3 alloy semiconductor
Effective electronic band structure of monoclinic β−(AlxGa1−x)2O3 alloy semiconductor
复制标题
单斜β-(AlxGa1-x)2O3合金半导体的有效电子能带结构
DOI：
10.1063/5.0134155
复制
发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
1.6
通讯作者：
Singisetti, Uttam
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Sharma, Ankit;Singisetti, Uttam
登录
查看更多内容
影响因子：
4
作者：
Higashiwaki, Masataka;Sasaki, Kohei;Yamakoshi, Shigenobu
通讯作者：
Yamakoshi, Shigenobu
(AlxGa1−x)2O3 和 Ga2O3 之间与方向相关的能带偏移
影响因子：
4
作者：
Sai Mu;H. Peelaers;Yong;Mengen Wang;C. D. Walle
通讯作者：
C. D. Walle
影响因子：
4
作者：
Sai Mu;H. Peelaers;C. D. Walle
通讯作者：
Sai Mu;H. Peelaers;C. D. Walle
影响因子：
4
作者：
J. Varley;A. Perron;V. Lordi;D. Wickramaratne;J. L. Lyons
通讯作者：
J. Varley;A. Perron;V. Lordi;D. Wickramaratne;J. L. Lyons
(010) β-(AlxGa1-x)2O3 薄膜的 MOCVD 生长
影响因子：
2.7
作者：
Bhuiyan, A F;Feng, Zixuan;Meng, Lingyu;Zhao, Hongping
通讯作者：
Zhao, Hongping