InP-based Resonant Tunneling Diode/HEMT Integrated Circuits for Ultrahigh-Speed Operation
InP-based Resonant Tunneling Diode/HEMT Integrated Circuits for Ultrahigh-Speed Operation
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用于超高速运行的 InP 谐振隧道二极管/HEMT 集成电路
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
水谷
中科院分区：
文献类型：
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作者：
前澤;水谷
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DOI：
10.1109/ectc.1995.517853
发表时间：
1995
期刊：
1995 Proceedings. 45th Electronic Components and Technology Conference
影响因子：
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作者：
A. K. Verma;M. A. Hadley;H. Yeh;J.S. Smith
通讯作者：
J.S. Smith
γ-Al2O3/Si多重异质结构制作谐振隧道二极管
影响因子：
1.5
作者：
M. Shahjahan;Y. Koji;K. Sawada;M. Ishida
通讯作者：
M. Ishida
与 Si-MOSFET 共同集成的氟化物谐振隧道二极管
DOI：
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发表时间：
2002
期刊：
Japanese J. Applied Physics 41(4B)
影响因子：
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作者：
Toshiaki Terayama;Hiroshi Sekine;Kazuo Tsutsui
通讯作者：
Kazuo Tsutsui
使用谐振隧道混沌电路的 88 GHz 动态 2 : 1 分频器
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
Electron.Lett. 39
影响因子：
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作者：
Y.Kawano;Y.Ohno;S.Kishimoto;K.Maezawa;T.Mizutani
通讯作者：
T.Mizutani
量子电子器件物理学
DOI：
10.1007/978-3-642-74751-9
发表时间：
1990
期刊：
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影响因子：
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作者：
F. Capasso
通讯作者：
F. Capasso