Fluoride Resonant Tunneling Diodes Co-Integrated with Si-MOSFETs
Fluoride Resonant Tunneling Diodes Co-Integrated with Si-MOSFETs
复制标题
与 Si-MOSFET 共同集成的氟化物谐振隧道二极管
DOI：
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发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Kazuo Tsutsui
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Toshiaki Terayama;Hiroshi Sekine;Kazuo Tsutsui
利用二维硅结构制造 SiO2/Si/SiO2 双势垒二极管
DOI：
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发表时间：
1997
期刊：
影响因子：
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作者：
H. Namatsu;S. Horiguchi;Yasuo Takahashi;Masao Nagase Masao Nagase;Kenji Kurihara Kenji Kurihara
通讯作者：
Kenji Kurihara Kenji Kurihara
具有高室温峰谷比的 CaF2/CdF2 双势垒谐振隧道二极管
DOI：
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发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
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作者：
Masahiro Watanabe;T. Funayama;T. Teraji;N. Sakamaki
通讯作者：
N. Sakamaki
Si(111) 上制造的 CdF2/CaF2 谐振隧道二极管
DOI：
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发表时间：
1996
期刊：
影响因子：
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作者：
A. Izumi;N. Matsubara;Yusuke Kushida;K. Tsutsui;N. Sokolov
通讯作者：
N. Sokolov