Localized excitation of InGaAs quantum dots by utilizing a photonic crystal nanocavity
Localized excitation of InGaAs quantum dots by utilizing a photonic crystal nanocavity
复制标题
利用光子晶体纳米腔局部激发 InGaAs 量子点
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Nakaoka et al.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M.Nomura;S.Iwamoto;T.Nakaoka et al.
影响因子：
64.8
作者：
Yoshie, T;Scherer, A;Deppe, DG
通讯作者：
Deppe, DG
影响因子：
64.8
作者：
Akahane, Y;Asano, T;Noda, S
通讯作者：
Noda, S