Raman spectroscopic determination of hole concentration in undoped GaAsBi
Raman spectroscopic determination of hole concentration in undoped GaAsBi
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拉曼光谱测定未掺杂 GaAsBi 中的空穴浓度
DOI：
10.1088/1361-6641/aaef02
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发表时间：
2018-11
影响因子：
1.9
通讯作者：
Wang Xingjun
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhu Sixin;Qiu Weiyang;Wang Han;Lin Tie;Chen Pingping;Wang Xingjun
研究了分子束外延生长的GaAs衬底上未掺杂GaAs 1 −xBix（0 < x < 0.037）的拉曼光谱。随着Bi分量的增加，我们发现纵向光学声子空穴等离子体耦合（LOPC）模首先出现在
Raman spectra of undoped GaAs1−xBix (0 < x < 0.037) grown on GaAs by molecular beam epitaxy were investigated. With an increase of Bi component, we find that the longitudinal optical phonon-hole-plasmon-coupled (LOPC) mode first appears in the vicinity of
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