High-resistance GaN epilayers with low dislocation density via growth mode modification
High-resistance GaN epilayers with low dislocation density via growth mode modification
复制标题
通过生长模式修改获得低位错密度的高阻 GaN 外延层
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2016.06.038
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发表时间：
2016-09
影响因子：
1.8
通讯作者：
Shen B.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Xu Z. Y.;Xu F. J.;Wang J. M.;Lu L.;Yang Z. J.;Wang X. Q.;Shen B.
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影响因子：
1.7
作者：
J. Zolper
通讯作者：
J. Zolper
影响因子：
1.4
作者：
A. Polyakov;N. Smirnov;A. Govorkov;S. Pearton
通讯作者：
A. Polyakov;N. Smirnov;A. Govorkov;S. Pearton
DOI：
10.1007/978-1-349-02658-6_1
发表时间：
1975
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
J. W. Edington
通讯作者：
J. W. Edington
影响因子：
3.2
作者：
D. Meister;M. Böhm;M. Topf;W. Kriegseis;W. Burkhardt;I. Dirnstorfer;S. Rösel;Baker Farangis;B. Meyer;A. Hoffmann;H. Siegle;C. Thomsen;J. Christen;F. Bertram
通讯作者：
D. Meister;M. Böhm;M. Topf;W. Kriegseis;W. Burkhardt;I. Dirnstorfer;S. Rösel;Baker Farangis;B. Meyer;A. Hoffmann;H. Siegle;C. Thomsen;J. Christen;F. Bertram
影响因子：
1.8
作者：
M. Murthy;J. Freitas;J. Kim;E. Glaser;D. Storm
通讯作者：
M. Murthy;J. Freitas;J. Kim;E. Glaser;D. Storm