Biaxial compressive strain engineering in graphene/boron nitride heterostructures.
Biaxial compressive strain engineering in graphene/boron nitride heterostructures.
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DOI：
10.1038/srep00893
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发表时间：
2012
影响因子：
4.6
通讯作者：
Wang X
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Pan W;Xiao J;Zhu J;Yu C;Zhang G;Ni Z;Watanabe K;Taniguchi T;Shi Y;Wang X
应变工程石墨烯预计将显示出许多有趣的物理和设备应用。在这里，我们研究了石墨烯/六方氮化硼异质结构在热循环到高温后的双轴压缩应变，这可能是由于它们的热膨胀系数不匹配。亚微米自支撑气泡的出现表明应变在空间上不均匀。有限元模型表明，应变集中在具有规则纳米级皱纹的边缘，这可能是石墨烯应变工程的游乐场。拉曼光谱和绘图用于定量探测应变的大小和分布。根据拉曼 G 和 2D 峰随温度变化的变化，我们首次估计了石墨烯从室温到 1000K 以上的 TEC。
Strain engineered graphene has been predicted to show many interesting physics and device applications. Here we study biaxial compressive strain in graphene/hexagonal boron nitride heterostructures after thermal cycling to high temperatures likely due to their thermal expansion coefficient mismatch. The appearance of sub-micron self-supporting bubbles indicates that the strain is spatially inhomogeneous. Finite element modeling suggests that the strain is concentrated on the edges with regular nano-scale wrinkles, which could be a playground for strain engineering in graphene. Raman spectroscopy and mapping is employed to quantitatively probe the magnitude and distribution of strain. From the temperature-dependent shifts of Raman G and 2D peaks, we estimate the TEC of graphene from room temperature to above 1000K for the first time.
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