Wideband tunable GaN HEMT module utilizing thin-film BST varactors for efficiency optimization
Wideband tunable GaN HEMT module utilizing thin-film BST varactors for efficiency optimization
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利用薄膜 BST 变容二极管实现效率优化的宽带可调谐 GaN HEMT 模块
DOI：
10.1109/mwsym.2016.7540375
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
R. Jakoby
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Wiens;S. Preis;C. Schuster;M. Nikfalazar;C. Damm;M. Schuessler;W. Heinrich;O. Bengtsson;R. Jakoby
使用 MIM 厚膜 BST 变容二极管的频率捷变封装 GaN-HEMT
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
European Microwave Conference
影响因子：
--
作者：
S. Preis;A. Wiens;N. Wolff;R. Jakoby;W. Heinrich;O. Bengtsson
通讯作者：
O. Bengtsson
金 MEMS 器件的机械疲劳：实验结果
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
Symposium on Design, Test, Integration and Packaging of MEMS/MOEMS
影响因子：
--
作者：
G. Pasquale;A. Somà;A. Ballestra
通讯作者：
A. Ballestra