Aligned defects behavior of β-FeSi_2 thin film on Si(100) substrate prepared by ion beam sputter deposition
Aligned defects behavior of β-FeSi_2 thin film on Si(100) substrate prepared by ion beam sputter deposition
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Si(100)衬底上离子束溅射沉积β-FeSi_2薄膜的定向缺陷行为
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
et al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M Sasase;et al.
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Sn 溶剂溶液生长 n 型 β-FeSi2 单晶
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
J.Crystal Growth (in press)
影响因子：
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作者：
鷲見 勇紀;大宮 学;Haruhiko Udono;Yuki SUMI;H.Suzuki;K.Yamaguchi;K.Yamaguchi;鵜殿治彦;Haruhiko Udono他4名;Haruhiko Udono他3名
通讯作者：
Haruhiko Udono他3名
通过离子束溅射沉积（IBSD）方法制备“环保”半导体（β-FeSi2）薄膜
影响因子：
2.1
作者：
M. Sasase;T. Nakanoya;H. Yamamoto;K. Hojou
通讯作者：
K. Hojou
Al掺杂增强β-FeSi_2/Si异质结的光响应性能
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
Optical Materials 27
影响因子：
--
作者：
Yoshihito Maeda;Yoshikazu Terai;Masaru Itakura
通讯作者：
Masaru Itakura
离子束合成硅化物：生长、表征和器件
影响因子：
2.1
作者：
K. Homewood;K. Reeson;R. Gwilliam;A. Kewell;M. Lourenço;G. Shao;Y. Chen;J. Sharpe;C. McKinty;T. Butler
通讯作者：
T. Butler