High-Q Variable Inductor Using Redistributed Layers for Si RF Circuits
High-Q Variable Inductor Using Redistributed Layers for Si RF Circuits
复制标题
使用硅射频电路重新分布层的高 Q 值可变电感器
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Abe and K. Masu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Sugawara;H. Ito;K. Okada;K. Itoi;M. Sato;H. Abe and K. Masu
DOI：
10.1109/jmems.1992.752508
发表时间：
1992-12
期刊：
IEEE\/ASME Journal of Microelectromechanical Systems
影响因子：
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作者：
W. Tang;M. G. Lim;R. Howe
通讯作者：
W. Tang;M. G. Lim;R. Howe
Si CMOS 芯片上的可变射频电感器
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
Jpn. J. Appl. Phys. 43(4B)
影响因子：
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作者：
H.Sugawara;et al.
通讯作者：
et al.
嵌入晶圆级芯片级封装的片上高 Q 螺旋铜电感器，适用于硅 RF 应用
DOI：
10.1109/mwsym.2004.1335843
发表时间：
2004
期刊：
2004 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest (IEEE Cat. No.04CH37535)
影响因子：
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作者：
K. Itoi;M. Sato;H. Abe;H. Sugawara;H. Ito;K. Okada;K. Masu;T. Ito
通讯作者：
T. Ito