Observation of Novel Defect Structure in 2H-AlN Grown on 6H-SiC(0001)Substrates by Molecular-Beam Epitaxy
Observation of Novel Defect Structure in 2H-AlN Grown on 6H-SiC(0001)Substrates by Molecular-Beam Epitaxy
复制标题
分子束外延在 6H-SiC(0001) 衬底上生长 2H-AlN 新型缺陷结构的观察
DOI：
--
复制
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
須田淳
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
奥村宏典;堀田昌宏;木本恒暢;須田淳
4H-SiC 上 GaN 生长的 AlN 成核层中的螺纹位错行为
影响因子：
4
作者：
Y. Picard;M. Twigg;M. Mastro;C. Eddy;R. Henry;R. Holm;P. Neudeck;A. J. Trunek;J. Powell
通讯作者：
J. Powell
HCl气蚀在表面控制的6H-SiC衬底上分子束外延生长绝缘AlN
影响因子：
4
作者：
N. Onojima;J. Suda;H. Matsunami
通讯作者：
H. Matsunami
影响因子：
3.2
作者：
Nakajima, A;Yokoya, H;Yonezu, H
通讯作者：
Yonezu, H