Sb Pile-up at Oxide and Si Interface during Drive-in Process after Predeposition Using Doped Oxide Source
Sb Pile-up at Oxide and Si Interface during Drive-in Process after Predeposition Using Doped Oxide Source
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使用掺杂氧化物源预沉积后推进过程中氧化物和硅界面处的 Sb 堆积
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
E.Arai
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Ichino;H.Uchida;M.Ichimura;E.Arai
通过减少 SiO2/Si 界面处的掺杂剂堆积来改善掺锑超浅结薄层电阻
影响因子：
1.5
作者：
K. Shibahara;K. Egusa;Koji Kamesaki;Hiroaki Furumoto
通讯作者：
Hiroaki Furumoto
用于超浅结形成的低能量注入砷和锑的掺杂剂损失起源
DOI：
10.1557/proc-532-23
发表时间：
1998
期刊：
MRS Proceedings
影响因子：
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作者：
K. Shibahara;H. Furumoto;K. Egusa;M. Koh;S. Yokoyama
通讯作者：
S. Yokoyama