Wideband Subwavelength Deeply Etched Multilayer Silicon Mirrors for Tunable Optical Filters and SS-OCT Applications
Wideband Subwavelength Deeply Etched Multilayer Silicon Mirrors for Tunable Optical Filters and SS-OCT Applications
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用于可调谐滤光片和 SS-OCT 应用的宽带亚波长深度蚀刻多层硅镜
DOI：
10.1109/jstqe.2014.2369519
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发表时间：
2015
影响因子：
4.9
通讯作者：
D. Khalil
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
H. Omran;Y. Sabry;Mohamed Sadek;Khaled Hassan;D. Khalil
在本文中，我们报道了在SOI衬底上使用深度蚀刻的亚波长深度蚀刻1000纳米厚的硅层。亚波长硅层用于构建宽带多层布拉格反射镜，显示超过220 nm的3-dB带宽。利用光学测量估计了镜面反射率和硅层蚀刻误差的影响。利用深蚀刻反射镜实现125 nm的Fabry-Perot调谐范围，并通过MEMS技术实现130 nm的自由光谱范围。该滤波器的输入/输出光纤插入到与滤光镜对齐的平面内轴的微机械凹槽中。该滤波器用于带半导体光放大器的环形激光扫描源配置。扫频源具有100 nm调谐范围和0.13 nm 3-dB线宽。
In this paper, we report subwavelength deeply etched 1000-nm-thick silicon layers using deep etching on an SOI substrate. The subwavelength silicon layers are used to construct wideband multilayer Bragg mirrors showing more than 220-nm 3-dB bandwidth. The mirror reflectivity and effect of silicon layers etching errors are estimated using optical measurements. The deeply etched mirrors are used to realize a 125-nm-tuning range Fabry-Perot tunable with a free spectral range of 130 nm enabled by the MEMS technology. The filter has input/output fibers inserted into micromachined grooves with in-plane axis aligned with the filter mirrors. The filter is utilized in a ring laser swept source configuration with a semiconductor optical amplifier. The swept source has 100-nm tuning range and 0.13-nm 3-dB linewidth.
用于 DRIE 制造纳米-毫米级共存微系统的轮廓光刻方法
DOI：
--
发表时间：
2006
期刊：
Journal of Micromechanics and Microengineering Vol.16
影响因子：
--
作者：
Yoshio Mita;Masanori Kubota;Tomoyuki Harada;Frederic Marty;Bassam Saadany;Tarik Bourouina;Tadashi Shibata
通讯作者：
Tadashi Shibata
DOI：
10.1109/jstqe.2006.884082
发表时间：
2006-11
影响因子：
4.9
作者：
B. Saadany;M. Malak;M. Kubota;F. Marty;Y. Mita;D. Khalil;T. Bourouina
通讯作者：
B. Saadany;M. Malak;M. Kubota;F. Marty;Y. Mita;D. Khalil;T. Bourouina