Modeling of void formation in phase change memory devices
Modeling of void formation in phase change memory devices
复制标题
相变存储器件中空隙形成的建模
DOI：
10.1016/j.sse.2019.107684
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发表时间：
2020
影响因子：
1.7
通讯作者：
Gokirmak, Ali
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Cywar, Adam;Woods, Zachary;Kim, SangBum;BrightSky, Matt;Sosa, Norma;Zhu, Yu;Kim, Hyeong Soo;Kim, Hyung Keun;Lam, Chung;Gokirmak, Ali
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影响因子：
1.5
作者：
Endo, Rie;Maeda, Shimpei;Susa, Masahiro
通讯作者：
Susa, Masahiro
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DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
作者：
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通讯作者：
Y. J. Kim
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作者：
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通讯作者：
Wright, C. David
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作者：
A. Cywar;Jing Li;C. Lam;H. Silva
通讯作者：
H. Silva
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DOI：
--
发表时间：
1990
期刊：
影响因子：
--
作者：
J. Im;H. Atwater
通讯作者：
H. Atwater