Subnitride and valence band offset at Si_3N_4/Si interface formed using nitrogen-hydrogen radicals
Subnitride and valence band offset at Si_3N_4/Si interface formed using nitrogen-hydrogen radicals
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使用氮氢自由基形成的 Si_3N_4/Si 界面处的亚氮化物和价带偏移
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T. Hattori
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Higuchi;S. Sugawa;E. Ikenaga;J. Ushio;H. Nohira;T. Maruizumi;A. Teramoto;T. Ohmi;T. Hattori
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