Recent progress of high temperature vapor phase epitaxy for the growth of GaN layers – Controlled coalescence of nucleation layers
Recent progress of high temperature vapor phase epitaxy for the growth of GaN layers – Controlled coalescence of nucleation layers
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高温气相外延生长GaN层的最新进展 Ⅻ 成核层的受控聚结
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2019.125465
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发表时间：
2020
影响因子：
1.8
通讯作者：
M. Stelter
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Schneider;M. Förste;G. Lukin;P. Fischer;M. Barchuk;C. Schimpf;E. Niederschlag;O. Pätzold;D. Rafaja;M. Stelter
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生长条件对横向外延生长 GaN 的影响
DOI：
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发表时间：
2001
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影响因子：
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作者：
Y. H. Song;J. Kim;H. Jang;S. Joon;J. Yang;K. Lim;G. Yang
通讯作者：
G. Yang
DOI：
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发表时间：
1998
期刊：
影响因子：
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作者：
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通讯作者：
H. Juergensen
影响因子：
1.8
作者：
Lukin, G.;Schneider, T.;Stelter, M.
通讯作者：
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氢化物 VPE 生长的 ELO GaN 的载气依赖性
DOI：
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发表时间：
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通讯作者：
T. Maeda
使用 X 射线衍射测定外延 GaN 层中束状螺纹位错的密度
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
M. Barchuk;V. Holý;D. Rafaja
通讯作者：
D. Rafaja