Optimization of SiC device topologies for Single Event Immunity
Optimization of SiC device topologies for Single Event Immunity
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针对单粒子抗扰度的 SiC 器件拓扑优化
DOI：
10.1109/wipdaeurope55971.2022.9936145
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Qi Y
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Qi Y
用于 TWTA 应用的 1.2KV SIC 肖特基二极管的原型设计和表征：满足用户规范的挑战
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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作者：
E. Maset;E. Sanchis;S. Massetti;J. Montserrat;P. Godignon;J. Moreno;E. Cordero;J. Bevan
通讯作者：
J. Bevan
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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作者：
Kristen Boomer;J. Lauenstein;A. Hammoud
通讯作者：
A. Hammoud
3-MeV 质子对 4H-SiC 双极器件和集成或非门的影响
影响因子：
1.8
作者：
S. Suvanam;L. Lanni;B. G. Malm;C. Zetterling;A. Hallén
通讯作者：
A. Hallén