Ultrafast, Broadband Photodetector Based on MoSe(2)/Silicon Heterojunction with Vertically Standing Layered Structure Using Graphene as Transparent Electrode.
Ultrafast, Broadband Photodetector Based on MoSe(2)/Silicon Heterojunction with Vertically Standing Layered Structure Using Graphene as Transparent Electrode.
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DOI：
10.1002/advs.201600018
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发表时间：
2016-11
期刊：
影响因子：
15.1
通讯作者：
Jie, Jiansheng
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Mao, Jie;Yu, Yongqiang;Wang, Liu;Zhang, Xiujuan;Wang, Yuming;Shao, Zhibin;Jie, Jiansheng
在Si衬底上沉积垂直层状结构的MoSe_2薄膜，构成MoSe_2/Si异质结光电探测器。石墨烯透明电极被用来进一步增强光生载流子的分离和传输。该器件在紫外-可见-近红外的宽响应光谱、7.13 × 1010 Jones的高探测率和约270 ns的超快响应速度方面表现出优异的性能，揭示了异质结在高性能光电子器件中的巨大潜力。
A MoSe2/Si heterojunction photodetector is constructed by depositing MoSe2 film with vertically standing layered structure on Si substrate. Graphene transparent electrode is utilized to further enhance the separation and transport of photogenerated carriers. The device shows excellent performance in terms of wide response spectrum of UV–visible–NIR, high detectivity of 7.13 × 1010 Jones, and ultrafast response speed of ≈270 ns, unveiling the great potential for the heterojunction for high‐performance optoelectronic devices.
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