Effect of Size Reduction on Switching Characteristics in GaAs-Based Schottky-Wrap-Gate Quantum Wire Transistors
Effect of Size Reduction on Switching Characteristics in GaAs-Based Schottky-Wrap-Gate Quantum Wire Transistors
复制标题
尺寸减小对 GaAs 基肖特基绕栅量子线晶体管开关特性的影响
DOI：
--
复制
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Y. Shiratori and S. Kasai
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
白鳥悠太;アブドゥール ラーマンシャハリン ファズリ;葛西 誠也;Y. Shiratori and S. Kasai
登录
查看更多内容
80 K 温度下运行的分栅 InGaAs 量子线器件
DOI：
10.1109/16.239818
发表时间：
1993
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
K. Yoh;A. Nishida;M. Inoue
通讯作者：
M. Inoue
肖特基面内栅极控制的 GaAs/AlGaAs 量子阱线中的量子传输
影响因子：
2.8
作者：
T. Hashizume;H. Okada;H. Hasegawa
通讯作者：
H. Hasegawa
S.Kasai：“基于二维电子气肖特基面内栅极和包裹栅极控制的具有单点和多点的 GaAs 单电子器件的制造和表征”Jpn.J.Appl.Phys。
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
作者：
通讯作者：
--
高温下 InGaAs 点接触的量子化电导
影响因子：
1.5
作者：
T. Bever;Yoshiro Hirayama Yoshiro Hirayama;Seigo Tarucha Seigo Tarucha
通讯作者：
Seigo Tarucha Seigo Tarucha