Luminescence Properties of Eu-implanted GaN-based Semiconductors
Luminescence Properties of Eu-implanted GaN-based Semiconductors
复制标题
Eu 注入 GaN 基半导体的发光特性
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Kasai
中科院分区：
文献类型：
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作者：
寺井慶和;Y Ota;H.Kasai
影响因子：
5
作者：
A. Steckl;J. Zavada
通讯作者：
J. Zavada
DOI：
10.1016/s0168-583x(03)00928-5
发表时间：
2003-05-01
影响因子：
1.3
作者：
Nakanishi, Y;Wakahara, A;Kim, YT
通讯作者：
Kim, YT