Epitaxial vanadium nanolayers to suppress interfacial reactions during deposition of titanium-bearing Heusler alloys on MgO(0 0 1)
Epitaxial vanadium nanolayers to suppress interfacial reactions during deposition of titanium-bearing Heusler alloys on MgO(0 0 1)
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外延钒纳米层在 MgO(0 0 1) 上沉积含钛霍斯勒合金期间抑制界面反应
DOI：
10.1016/j.apsusc.2020.145649
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发表时间：
2020
影响因子：
6.7
通讯作者：
Webster R
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Webster R
半Heusler合金TiNiSn到（1 0 0）取向MgO上的外延生长受到由钛的氧化电位驱动的界面反应的影响。在这里，我们证明了元素钒的几个外延单层足以作为一个不可渗透的缓冲，保持外延和化学计量的薄膜生长，但抑制合金的界面氧化。电子衍射和显微镜被用来观察薄膜的形貌，从而确定最佳的沉积条件。电子能量损失谱被用来证明所得到的薄膜界面的化学性质，并确认，TiNiSn膜质量得到改善。
Epitaxial growth of the half-Heusler alloy TiNiSn onto (1 0 0)-oriented MgO is compromised by interfacial reactions driven by the oxidising potential of titanium. Here, we demonstrate that a few epitaxial monolayers of elemental vanadium are sufficient to act as an impermeable buffer that maintains epitaxy and stoichiometric thin film growth but suppresses interfacial oxidation of the alloy. Electron diffraction and microscopy are used to characterise the thin film morphologies and thereby determine the optimum deposition conditions. Electron energy loss spectroscopy is used to demonstrate the chemical nature of the resulting thin film interfaces and confirms that TiNiSn film quality is improved.
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J. Scott;P. Thomas;Maureen MacKenzie;S. McFadzean;J. Wilbrink;A. Craven;W.A.P. Nicholson