Performance analysis and simulation of vertical gallium nitride nanowire transistors
Performance analysis and simulation of vertical gallium nitride nanowire transistors
复制标题
垂直氮化镓纳米线晶体管的性能分析与仿真
DOI：
10.1016/j.sse.2018.03.005
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发表时间：
2018
影响因子：
1.7
通讯作者：
A. Waag
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
B. Witzigmann;K. Frank;K. Strempel;M.F. Fatahilah;H.W. Schumacher;H.S. Wasisto;F. Römer;A. Waag
特邀）高压垂直GaN纳米线场效应晶体管的仿真研究
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
G. Sabui;V. Zubialevich;P. Pampili;M. White;P. Parbrook;M. McLaren;M. Arredondo;Z. Shen
通讯作者：
Z. Shen
基于GaN纳米线的增强型功率晶体管的垂直架构
影响因子：
4
作者：
F. Yu. D. Rümmler;J. Hartmann;L. Caccamo;T. Schimpke;M. Strassburg;A. E. Gad;A. Bakin;H.-H. Wehmann;B. Witzigmann;A. Waag
通讯作者：
A. Waag