Vertical architecture for enhancement mode power transistors based on GaN nanowires
Vertical architecture for enhancement mode power transistors based on GaN nanowires
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基于GaN纳米线的增强型功率晶体管的垂直架构
DOI：
10.1063/1.4952715
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发表时间：
2016
影响因子：
4
通讯作者：
A. Waag
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
F. Yu. D. Rümmler;J. Hartmann;L. Caccamo;T. Schimpke;M. Strassburg;A. E. Gad;A. Bakin;H.-H. Wehmann;B. Witzigmann;A. Waag
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影响因子：
2.3
作者：
T. Fujiwara;R. Yeluri;D. Denninghoff;Jing Lu;S. Keller;J. Speck;S. Denbaars;U. Mishra
通讯作者：
T. Fujiwara;R. Yeluri;D. Denninghoff;Jing Lu;S. Keller;J. Speck;S. Denbaars;U. Mishra
线沟道和环绕栅极金属氧化物半导体场效应晶体管，显着减少短沟道效应
影响因子：
1.4
作者：
E. Leobandung;Jian Gu;L. Guo;S. Chou
通讯作者：
S. Chou
具有超高直流功率密度 (>3 MW/cm2) 的 GaN/InGaN 异质结双极晶体管
DOI：
10.1002/pssa.201100436
发表时间：
2012
期刊：
physica status solidi (a)
影响因子：
--
作者：
Yi;Yun Zhang;Z. Lochner;H. Kim;J. Ryou;R. Dupuis;S. Shen
通讯作者：
S. Shen
由 GaN 纳米线制成的具有完全共形圆柱形栅极的 MOSFET
影响因子：
2.4
作者：
P. Blanchard;K. Bertness;T. Harvey;A. Sanders;N. Sanford;S. George;D. Seghete
通讯作者：
D. Seghete
影响因子：
4
作者：
Jeng‐Wei Yu;P. Yeh;S. Wang;Yuh‐Renn Wu;M. Mao;Hao-Hsiung Lin;L. Peng
通讯作者：
Jeng‐Wei Yu;P. Yeh;S. Wang;Yuh‐Renn Wu;M. Mao;Hao-Hsiung Lin;L. Peng