Oxygen plasma assisted enhanced photoresponse of ZnO nanowires fabricated by catalyst-free chemical vapor deposition.
Oxygen plasma assisted enhanced photoresponse of ZnO nanowires fabricated by catalyst-free chemical vapor deposition.
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氧血浆辅助增强的ZnO纳米线的光增强响应是通过无催化剂化学蒸气沉积制造的。
DOI：
10.1039/c8ra05040f
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发表时间：
2018-08-14
期刊：
影响因子：
3.9
通讯作者：
Lu, Wenqiang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Jiang, Haitao;Liu, Shibin;Liang, Liyuan;Lu, Wenqiang
为了提高无催化剂化学气相沉积（CVD）法制备的ZnO纳米线（NW）的性能，采用氧等离子体对ZnO纳米线基叉指微电极阵列光电探测器（IDA-PD）进行了不同时间的表面改性。利用X射线光电子能谱（XPS）对氧等离子体处理后的ZnO纳米线的表面状态进行了表征。结果表明，随着等离子体处理时间从0增加到10 min，IDA-PD的光电流从4 μA增加到28 μA。通过对ZnO纳米线表面氧原子强度的分析，探讨了O2等离子体处理ZnO纳米线的响应机理，这种样品处理方法对提高半导体光电探测器的性能具有一定的参考价值。通过氧等离子体对纳米线表面进行修饰，使ZnO纳米线光电探测器的光电流提高了8倍。
In this paper, in order to enhance the performance of fabricated ZnO nanowires (NWs) by chemical vapor deposition (CVD) without catalysts, oxygen plasma was used to modify the ZnO nanowire-based interdigital microelectrode array photodetectors (IDA-PDs) at different times. The surface states of ZnO NWs with O2 plasma treatment were characterized via X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). Results showed that the photocurrent of the IDA-PDs continuously increased from 4 to 28 μA as the plasma-treatment time increased from 0 to 10 minutes. The response mechanism of O2 plasma treated ZnO NWs was investigated by illustrating the intensity of the surface oxygen atoms of ZnO NWs.This sample handling method can be beneficial in improving the performance of semiconductor photodetectors. Photocurrent of the ZnO nanowire-based photodetectors was enhanced 8 times by modifying the surface of nanowires with oxygen plasma.
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