A 70–90-GHz High-Linearity Multi-Band Quadrature Receiver in ${\hbox{0.35-}}\mu{\hbox {m}}$ SiGe Technology
A 70–90-GHz High-Linearity Multi-Band Quadrature Receiver in ${\hbox{0.35-}}\mu{\hbox {m}}$ SiGe Technology
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采用 ${hbox{0 35-}}mu{hbox {m}}$ SiGe 技术的 70â90-GHz 高线性度多频段正交接收器
DOI：
10.1109/tmtt.2013.2285280
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发表时间：
2013
影响因子：
4.3
通讯作者：
D. Kissinger
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
I. Nasr;B. Lämmle;K. Aufinger;G. Fischer;R. Weigel;D. Kissinger
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3
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Seungsoo Kim;Hyunchol Shin
通讯作者：
Hyunchol Shin
SiGe高速晶体管和高压晶体管的同时集成
DOI：
10.1109/bipol.2006.311159
发表时间：
2006
期刊：
2006 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting
影响因子：
--
作者：
R. K. Vytla;T. Meister;K. Aufinger;D. Lukashevich;S. Boguth;H. Knapp;J. Bock;H. Schafer;R. Lachner
通讯作者：
R. Lachner
A%2033%%20调谐%20range%20high%20output%20power%20V-band%20超谐波%20耦合%20正交%20VCO%20in%20SiGe%20技术
DOI：
10.1109/rfic.2012.6242286
发表时间：
2012
期刊：
2012 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium
影响因子：
--
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I. Nasr;M. Dudek;R. Weigel;D. Kissinger
通讯作者：
D. Kissinger
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5.4
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通讯作者：
S. Voinigescu
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DOI：
10.1109/mwsym.2004.1338857
发表时间：
2004
期刊：
2004 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest (IEEE Cat. No.04CH37535)
影响因子：
--
作者：
Y. Park;S. Chakraborty;Chang;S. Nuttinck;J. Laskar
通讯作者：
J. Laskar