Quantum ballistic transport in strained epitaxial germanium
Quantum ballistic transport in strained epitaxial germanium
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应变外延锗中的量子弹道输运
DOI：
10.1063/1.5008969
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发表时间：
2017
影响因子：
4
通讯作者：
Gul Y
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Gul Y
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影响因子：
3.7
作者：
M. Costa;I. Shelykh;N. Bagraev
通讯作者：
N. Bagraev
揭示在标准 Si(001) 衬底上生长的应变 Ge 量子阱异质结构中二维空穴的高室温和低温迁移率
影响因子：
1.7
作者：
M. Myronov;C. Morrison;J. Halpin;S. Rhead;J. Foronda;D. Leadley
通讯作者：
D. Leadley
影响因子：
3.7
作者：
Wan, J.;Cahay, M.;Newrock, R.
通讯作者：
Newrock, R.
通过减压化学气相沉积生长的应变Ge量子阱异质结构中二维空穴的极高室温迁移率
影响因子：
1.5
作者：
M. Myronov;C. Morrison;J. Halpin;S. Rhead;C. Casteleiro;J. Foronda;V. Shah;D. Leadley
通讯作者：
D. Leadley
In0.75Ga0.25As量子线中的量子输运
影响因子：
4
作者：
P. Simmonds;F. Sfigakis;H. Beere;D. Ritchie;M. Pepper;Donald M. Anderson;G. Jones
通讯作者：
G. Jones