Improvement of Current Gain in 4H-SiC BJTs by Surface Passivation With Deposited Oxides Nitrided in N_2O or NO
Improvement of Current Gain in 4H-SiC BJTs by Surface Passivation With Deposited Oxides Nitrided in N_2O or NO
复制标题
通过在 N_2O 或 NO 中氮化的沉积氧化物进行表面钝化，提高 4H-SiC BJT 的电流增益
DOI：
--
复制
发表时间：
2011
影响因子：
4.9
通讯作者：
J.Suda
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
H.Miyake;T.Kimoto;J.Suda
登录
查看更多内容
高电流增益 4H-SiC npn 双极结型晶体管
影响因子：
4.9
作者：
Chih;J. Cooper
通讯作者：
J. Cooper
DOI：
10.1143/jjap.44.1213
发表时间：
2005-03-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS
影响因子：
--
作者：
Kimoto, T;Kanzaki, Y;Matsunami, H
通讯作者：
Matsunami, H
采用 4H-SiC 的 1800 V NPN 双极结型晶体管
影响因子：
4.9
作者：
S. Ryu;A. Agarwal;Ranbir Singh;J. Palmour
通讯作者：
J. Palmour
具有 AlN/GaN 短周期超晶格宽禁带发射极的 AlGaN/SiC 异质结双极晶体管演示
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
H.Miyake;T.Kimoto;J.Suda
通讯作者：
J.Suda
具有含氮绝缘体的 4H-SiC MISFET
DOI：
10.1002/pssa.200925247
发表时间：
2009
期刊：
physica status solidi (a)
影响因子：
--
作者：
M. Noborio;J. Suda;S. Beljakowa;M. Krieger;T. Kimoto
通讯作者：
T. Kimoto