Demonstration of AlGaN/SiC Heterojunction Bipolar Transistors with AlN/GaN Short-Period Superlattice Widegap Emitter
Demonstration of AlGaN/SiC Heterojunction Bipolar Transistors with AlN/GaN Short-Period Superlattice Widegap Emitter
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具有 AlN/GaN 短周期超晶格宽禁带发射极的 AlGaN/SiC 异质结双极晶体管演示
DOI:
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发表时间:
2009
期刊:
影响因子:
--
通讯作者:
J.Suda
中科院分区:
文献类型:
--
作者:
H.Miyake;T.Kimoto;J.Suda
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影响因子:
1.8
作者:
A. Lebedev;O. Ledyaev;A. Strel'chuk;A. N. Kuznetsov;A. Nikolaev;A. Zubrilov;A. Volkova
通讯作者:
A. Volkova
DOI:
10.4028/www.scientific.net/msf.615-617.979
发表时间:
2009
期刊:
Materials Science Forum
影响因子:
--
作者:
H. Miyake;T. Kimoto;J. Suda
通讯作者:
J. Suda
DOI:
10.1109/iedm.1994.383385
发表时间:
1994
期刊:
Proceedings of 1994 IEEE International Electron Devices Meeting
影响因子:
--
作者:
J. Pankove;S. Chang;H.C. Lee;R. Molnar;T. Moustakas;B. van Zeghbroeck
通讯作者:
B. van Zeghbroeck
影响因子:
3.2
作者:
E. Danielsson;C. Zetterling;M. Östling;D. Tsvetkov;V. Dmitriev
通讯作者:
V. Dmitriev
DOI:
--
发表时间:
2009
期刊:
影响因子:
--
作者:
H.Miyake;T.Kimoto;J.Suda
通讯作者:
J.Suda