Demonstration of AlGaN/SiC Heterojunction Bipolar Transistors with AlN/GaN Short-Period Superlattice Widegap Emitter

Demonstration of AlGaN/SiC Heterojunction Bipolar Transistors with AlN/GaN Short-Period Superlattice Widegap Emitter
复制标题

具有 AlN/GaN 短周期超晶格宽禁带发射极的 AlGaN/SiC 异质结双极晶体管演示

DOI:
--
复制
发表时间:
2009
期刊:
影响因子:
--
通讯作者:
J.Suda
J.Suda
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:
H.Miyake;T.Kimoto;J.Suda

文献摘要

参考文献

被引文献

相似文献

n-GaN/p-SiC/n-SiC 异质结构的研究
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2006.11.027
发表时间: 2007
影响因子: 1.8
作者:
A. Lebedev;O. Ledyaev;A. Strel'chuk;A. N. Kuznetsov;A. Nikolaev;A. Zubrilov;A. Volkova
通讯作者: A. Volkova
通过在发射极结插入超薄 AlN 层提高 GaN/SiC 异质结双极晶体管的电流增益
DOI: 10.4028/www.scientific.net/msf.615-617.979
发表时间: 2009
期刊: Materials Science Forum
影响因子: --
作者:
H. Miyake;T. Kimoto;J. Suda
通讯作者: J. Suda
DOI: 10.1109/iedm.1994.383385
发表时间: 1994
期刊: Proceedings of 1994 IEEE International Electron Devices Meeting
影响因子: --
作者:
J. Pankove;S. Chang;H.C. Lee;R. Molnar;T. Moustakas;B. van Zeghbroeck
通讯作者: B. van Zeghbroeck
4H-SiC 上氢化物气相外延生长 AlGaN 异质结二极管的表征
DOI: 10.1063/1.1430892
发表时间: 2002
影响因子: 3.2
作者:
E. Danielsson;C. Zetterling;M. Östling;D. Tsvetkov;V. Dmitriev
通讯作者: V. Dmitriev
带 AlN/GaN 短周期超晶格宽禁带发射极的 SiC 异质结双极晶体管演示
DOI: --
发表时间: 2009
期刊:
影响因子: --
作者:
H.Miyake;T.Kimoto;J.Suda
通讯作者: J.Suda