High permittivity dielectrics for poly(3-alkylthiophene) field-effect transistor devices
High permittivity dielectrics for poly(3-alkylthiophene) field-effect transistor devices
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用于聚（3-烷基噻吩）场效应晶体管器件的高介电常数电介质
DOI：
10.1016/j.orgel.2011.11.001
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发表时间：
2012
影响因子：
3.2
通讯作者：
Sparrowe D
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Sparrowe D
为了阐明栅极绝缘体的介电常数和表面能（分别由其介电常数 k 和水接触角表示）对有机场效应晶体管 (FET) 性能的影响，我们使用一系列栅极电介质，采用不同侧链长度的聚（3-烷基噻吩）（P3AT）制造了顶栅和底栅 FET 架构。我们发现，此类半导体，包括短丁基 (C4–) 取代衍生物，明显不易受到高 k 电介质对许多有机 FET 性能造成的有害影响。对于底栅器件，我们确定栅极电介质的表面能来主要决定器件的迁移率。
In an attempt to disentangle the effects of permittivity and surface energy of the gate insulator (expressed by its dielectric constant k and water contact angle, respectively) on the performance of organic field-effect transistors (FETs), we fabricated top- and bottom-gate FET architectures with poly(3-alkylthiophenes) (P3ATs) of different side-chain lengths, using a range of gate dielectrics. We find that this class of semiconductor, including the short butyl-(C4–) substituted derivative, is significantly less susceptible to the often detrimental effects that high-k dielectrics can have on the performance of many organic FETs. For bottom gate devices we identify the surface energy of the gate dielectric to predominantly dictate the device mobility.
影响因子：
1.5
作者：
Bo;Yan;Ming;An;Y. Chen;Y. Chiou;Y. Chiou;C. Chu
通讯作者：
C. Chu
栅极电介质对铜酞菁薄膜晶体管电荷传输的影响
影响因子：
2.1
作者：
Shunyang Yu;Ming;Dongge Ma
通讯作者：
Dongge Ma
用于溶液处理聚合物薄膜晶体管电路集成的等离子体增强化学气相门电介质的比较研究
影响因子：
3.2
作者：
Flora M. Li;A. Nathan;Yiliang Wu;B. Ong
通讯作者：
B. Ong