Silicon Degradation in Monolithic II–VI/Si Tandem Solar Cells
Silicon Degradation in Monolithic II–VI/Si Tandem Solar Cells
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单片 II–VI/Si 串联太阳能电池中的硅退化
DOI：
10.1109/jphotov.2019.2961607
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发表时间：
2020
影响因子：
3
通讯作者：
King, Richard R.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Tyler, Kevin D.;Arulanandam, Madhan K.;Pandey, Ramesh;Kumar, Niranjana Mohan;Drayton, Jennifer;Sites, James R.;King, Richard R.
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金属有机气相外延环境对 III-V-on-Si 多结太阳能电池硅体寿命的影响
影响因子：
6.9
作者：
E. García;I. Rey‐Stolle
通讯作者：
I. Rey‐Stolle
GaP/c-Si 异质结电池加工过程中块状 c-Si 性能的演变
DOI：
10.1016/j.egypro.2015.07.070
发表时间：
2015
期刊：
Energy Procedia
影响因子：
--
作者：
R. Varache;M. Darnon;M. Descazeaux;Mickael Martin;T. Baron;D. Muñoz
通讯作者：
D. Muñoz
控制 II-VI/Si 串联中的硅底电池寿命差异
DOI：
10.1109/pvsc40753.2019.8980707
发表时间：
2019
期刊：
2019 IEEE 46th Photovoltaic Specialists Conference (PVSC
影响因子：
--
作者：
Tyler, Kevin D.;Arulanandam, Madhan K.;Pandey, Ramesh;Kumar, Niranjana Mohan;Drayton, Jennifer;Sites, James;King, Richard R.
通讯作者：
King, Richard R.
提高 GaP/Si 异质外延中的 GaP 晶体质量和硅体寿命
影响因子：
1.8
作者：
Chaomin Zhang;Yeongho Kim;N. Faleev;C. Honsberg
通讯作者：
C. Honsberg
III-V-on-Si 多结太阳能电池外延生长过程中硅体寿命的演变
DOI：
10.1002/pip.2703
发表时间：
2016
期刊：
Progress in Photovoltaics: Research and Applications
影响因子：
--
作者：
E. García;J. Carlin;T. Grassman;D. Martín;I. Rey‐Stolle;S. Ringel
通讯作者：
S. Ringel