Charge collection characterisation with the Transient Current Technique of the ams H35DEMO CMOS detector after proton irradiation
Charge collection characterisation with the Transient Current Technique of the ams H35DEMO CMOS detector after proton irradiation
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使用艾迈斯半导体 H35DEMO CMOS 探测器质子辐照后瞬态电流技术进行电荷收集表征
DOI：
10.1088/1748-0221/13/10/p10004
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发表时间：
2018
影响因子：
1.3
通讯作者：
Anders J
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Anders J
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基于伯尔尼医用回旋加速器的辐射硬度研究设施
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
J. Anders;S. Braccini;T. Carzaniga;A. Ereditato;A. Fehr;F. Meloni;C. Merlassino;A. Miucci;M. Rimoldi;M. Weber
通讯作者：
M. Weber
CERN PS 东区 IRRAD 质子设施的束流轮廓监测系统
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
B. Gkotse;M. Glaser;E. Matli;F. Ravotti;K. Gan;H. Kagan;Shane Smith;Joseph Warner
通讯作者：
Joseph Warner
采用艾迈斯半导体 H18 高压工艺制造的中子辐照 CMOS 传感器的辐射硬度研究
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
M. F. García;C. Gallrapp;M. Moll;D. Muenstermann
通讯作者：
D. Muenstermann
CERN PS 东区的新高强度质子辐照设施
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
F. Ravotti;B. Gkotse;M. Glaser;Pedro Lima;E. Matli;M. Moll
通讯作者：
M. Moll
影响因子：
5
作者：
K. Nakamura;K. Hagiwara;K. Hikasa;H. Murayama;M. Tanabashi;T. Watari;C. Amsler;M. Antonelli
通讯作者：
K. Nakamura;K. Hagiwara;K. Hikasa;H. Murayama;M. Tanabashi;T. Watari;C. Amsler;M. Antonelli