Spatial Distribution of Carrier Concentration in 4H-SiC Crystal Grown by Solution Method
Spatial Distribution of Carrier Concentration in 4H-SiC Crystal Grown by Solution Method
复制标题
溶液法生长的4H-SiC晶体中载流子浓度的空间分布
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Ujihara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Z. Wang;T. Kawaguchi;K. Murayama;K. Aoyagi;S. Harada;M. Tagawa;T. Sakai;T. Kato;T. Ujihara
影响因子：
2.3
作者：
Yuji Yamamoto;S. Harada;Kazuaki Seki;Atsushi Horio;T. Mitsuhashi;Daiki Koike;M. Tagawa;T. Ujihara
通讯作者：
Yuji Yamamoto;S. Harada;Kazuaki Seki;Atsushi Horio;T. Mitsuhashi;Daiki Koike;M. Tagawa;T. Ujihara
6H 和 4H SiC 升华生长过程中的氮掺入动力学
影响因子：
1.5
作者：
K. Onoue;T. Nishikawa;M. Katsuno;N. Ohtani;Hirokatsu Yashiro Hirokatsu Yashiro;Masatoshi Kanaya Masatoshi Kanaya
通讯作者：
Masatoshi Kanaya Masatoshi Kanaya