Magic angle and height quantization in nanofacets on SiC(0001) surfaces
Magic angle and height quantization in nanofacets on SiC(0001) surfaces
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SiC(0001) 表面纳米面的魔角和高度量化
DOI：
10.1063/1.4864295
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发表时间：
2014
影响因子：
4
通讯作者：
A. Oshiyama
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
K. Sawada;J. Iwata;A. Oshiyama
我们报告的密度泛函计算提供的SiC（0001）表面上的小面形成的微观机制。我们首先确定单，双，和quad-bilayer步骤的原子尺度结构，并发现单双层（SB）步骤具有最低的形成能。然后，我们发现SB台阶被聚束以形成具有相对于（0001）平面的特定角度（魔刻面角）和沿着（0001）方向的离散高度（高度量化）的纳米刻面。我们还澄清了实验观察到的纳米面的自组织的微观原因。
We report on the density-functional calculations that provide microscopic mechanism of the facet formation on the SiC (0001) surface. We first identify atom-scale structures of single-, double-, and quad-bilayer steps and find that the single-bilayer (SB) step has the lowest formation energy. We then find that the SB steps are bunched to form a nanofacet with a particular angle relative to the (0001) plane (magic facet angle) and with a discretized height along the (0001) direction (height quantization). We also clarify a microscopic reason for the self-organization of the nanofacet observed experimentally.
影响因子：
8.6
作者：
Nakagawa, H;Tanaka, S;Suemune, I
通讯作者：
Suemune, I
影响因子：
8.6
作者：
M. Fujii;Satoru Tanaka
通讯作者：
M. Fujii;Satoru Tanaka