Room-temperature magnetoresistance in a-C:Co/Si system
Room-temperature magnetoresistance in a-C:Co/Si system
复制标题
a-C:Co/Si 体系中的室温磁阻
DOI：
10.1007/s11433-011-4357-2
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发表时间：
2011-05
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Wan, Caihua
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhang, Xiaozhong;Zhang, Xin;Wan, Caihua
采用脉冲激光沉积技术制备了三种类型的a-C：Co/Si样品：Co分散在a-C膜中的Co2-C98/Si，界面偏析Co的CO2-C98/Si和连续分布在a-C/Si界面上的a-C/Co/Si。两者都有
Three types of a-C:Co/Si samples were fabricated using the pulsed laser deposition: Co2-C98/Si with Co dispersed in the a-C film, Co2-C98/Si with Co segregated at the interface, and a-C/Co/Si with Co continuously distributed at the a-C/Si interface. Both
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DOI：
10.1103/physrevb.39.5520
发表时间：
1989-03
期刊：
Physical review. B, Condensed matter
影响因子：
--
作者：
De Crescenzi M;Derrien;Chainet;Orumchian
通讯作者：
De Crescenzi M;Derrien;Chainet;Orumchian
DOI：
10.1049/ep.1970.0039
发表时间：
1970
期刊：
Electronics and Power
影响因子：
--
作者：
G. Pridham
通讯作者：
G. Pridham
影响因子：
3.7
作者：
Ferrari, AC;Robertson, J
通讯作者：
Robertson, J
影响因子：
2.4
作者：
Wang, ZL;Yin, JS;Jiang, YD
通讯作者：
Jiang, YD
影响因子：
64.8
作者：
A. Brataas
通讯作者：
A. Brataas